肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode，縮寫(xie) 為(wei) SBD)的縮寫(xie) 。SBD並非采用P型半導體(ti) 與(yu) N型半導體(ti) 接觸形成PN結的原理，而是采用金屬與(yu) 半導體(ti) 接觸形成的金屬-半導體(ti) 結的原理。所以SBD又稱金屬-半導體(ti) (接觸)二極管或表麵勢壘二極管。

二、肖特基二極管結構。

肖特基勢壘高度低於(yu) PN結勢壘高度，因此其正向導通和正向壓降均低於(yu) PN結二極管(約0.2V)。

由於(yu) SBD的反向恢複電荷非常小，開關(guan) 速度非常快，開關(guan) 損耗也非常小，特別適合高頻應用。

三、肖特基二極管的缺點。

肖特基二極管和普通二極管都是單向導電，可以用於(yu) 整流電路。肖特基二極管最大的缺點是反向偏壓低，反向漏電流大。比如以矽和金屬為(wei) 材料的肖特基二極管，反向偏壓額定耐壓最高隻有50V，反向漏電流值為(wei) 正溫度特性，隨著溫度的升高容易急劇增大。在實際設計中，應注意其熱失控的隱患。

四、肖特基二極管與(yu) 普通二極管的區別。

(1)正壓降:普通二極管壓降大(0.7~1.7V)，肖特基二極管小(0.15~0.45V)。

(2)耐壓值:普通二極管的耐壓可以做得更高，但其恢複速度較低，隻能用於(yu) 低頻整流。高頻時會(hui) 因無法快速恢複而反向漏電，導致嚴(yan) 重發熱燒毀。肖特基二極管的耐壓值較低，但恢複速度快，可用於(yu) 高頻場合。因此，肖特基二極管通常用於(yu) 開關(guan) 電源的整流輸出。

(3)反向恢複時間:肖特基二極管比普通二極管快得多。

(4)反漏電流:肖特基二極管反漏電流大。